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为何GaN HEMT没有雪崩击穿？
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:544次
  1. GaN有很高的击穿场强（硅的10倍）
  2. 就硅器件而言，高电场导致硅PN结出现雪崩击穿
  3. GaN HEMT 更像瓷片电容击穿，因为它的击穿点常常位于器件上部的绝缘层中（电场最集中的地方）
  4. 与硅不同之处在于，氮化镓一旦发生击穿，就是永久性的
  5. 对氮化镓而言，通常的设计余量会有30%以上，而硅器件仅有10%
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氮化镓与超结硅不同封装的结-壳热阻（ RthJC ）比较
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