X
氮化镓比超结MOS管的dv/dt高很多。在驱动设计的时候需要特别注意。这里有早些时候TO220封装的级联型氮化镓和超结MOS管的一个对比：
Wei Zhang, A Deep Dive of Isolated Gate Driver Robustness – dv/dt (CMTI) and di/dt, TI, APEC 2018
Tel:+86-025-51180705
Email:xinkansen@x-ipm.com
WeChat public account:X-IPM Technologies
