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为何没有P型 GaN HEMT?
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:536次
  • 硅有NMOS和PMOS两种器件：NMOS中，载流子为电子，PMOS载流子为空穴
  • 然而目前还没有商业化的P型GaN HEMT
  • 首先，镁离子掺杂很困难
  • 其次，氮化镓中空穴的迁移率很低 (空穴：30 cm2/Vs vs. 电子：2000 cm2/Vs) 
  • 氮化镓IC通常使用互补的增强型(E-mode)和耗尽型(D-mode)或者干脆完全使用增强型来实现，因此氮化镓IC通常不太容易实现想要的功能
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