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GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展,人们生活水平的提高,人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
氮化镓和超级结MOS管比较:dv/dt
氮化镓比超结MOS管的dv/dt高很多。在驱动设计的时候需要特别注意。这里有早些时候TO220封装的级联型氮化镓...
氮化镓功率器件晶圆级测试举例
测试未通过的芯片被标记,不被封装 在这个例子里,我们有: ü所有芯片(die): 229 ü坏的芯片: 32 &...
氮化镓功率器件晶圆级测试简介
晶圆级测试(CP)可以通过一些列的测试项目分别出好的和坏的芯片。这些测试项目包括室温和高温两种测试条件。针...
氮化镓功率器件主要应用方向
氮化镓和超结MOS管Rdson随温度变化比较
氮化镓和超结硅的Rdson高低温比值相当: GaN HEMT而言: Rdson 高低温比值: Rdson(T=150C)/ Rdson(T=25C) =16...
氮化镓功率器件安全工作区计算和测试
氮化镓和硅功率器件有类似的安全工作区定义 热不稳定区域是热失效发生的区域,通常曲线的曲率越陡,在高电压时...
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