寄生电容: GaN和硅超结MOS对比
时间:2023-04-13 作者: 分类:技术文章 浏览:807次
  • 氮化镓 HEMT: Coss随VDS电压的变化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=200pF/41pF=4.89
  • 硅超结MOS: Coss 随VDS电压的变化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=3.5E4pF/40pF=875
  • 硅超结MOS Coss随VDS电压的变化率比氮化镓大很多,造成严重的非线性,导致EMI整改困难