为何GaN HEMT没有雪崩击穿?
时间:2023-04-13 作者: 分类:技术文章 浏览:808次
  1. GaN有很高的击穿场强(硅的10倍)
  2. 就硅器件而言,高电场导致硅PN结出现雪崩击穿
  3. GaN HEMT 更像瓷片电容击穿,因为它的击穿点常常位于器件上部的绝缘层中(电场最集中的地方)
  4. 与硅不同之处在于,氮化镓一旦发生击穿,就是永久性的
  5. 对氮化镓而言,通常的设计余量会有30%以上,而硅器件仅有10%