氮化镓与超结硅不同封装的结-壳热阻( RthJC )比较
时间:2023-04-13 作者: 分类:技术文章 浏览:832次

不同的封装会有不同的结-壳热阻。但封装形式的影响远远小于芯片自身的尺寸对结-壳热阻的影响。我们使用英飞凌的数据做了一个全面的比较,可见对于硅器件而言,无论是直插封装(例如TO220)还是表面贴封装(DFN),差不多的Rdson带来很接近的结-壳热阻。然而同样类似的Rdson,氮化镓的结-壳热阻却要大很多。这本质上是因为和超结MOS比,相同Rdson,氮化镓的芯片面积要小很多。小面积带来结-壳电阻的增加。