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碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展,人们生活水平的提高,人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案,供设计参考:
氮化镓单片集成IC
目前主流的氮化镓工艺仍然使用0.5 um特征尺寸和6寸或8寸外延晶圆 就氮化镓模拟IC而言,技术节点基本上相当于...
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如何运用GaN才能做到最优性价比
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商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案,供设计参考:
氮化镓单片集成IC
目前主流的氮化镓工艺仍然使用0.5 um特征尺寸和6寸或8寸外延晶圆 就氮化镓模拟IC而言,技术节点基本上相当于...
650V超结硅和氮化镓的品质因素比较
参考资料:梁晓军:新型宽禁带半导体器件的研究与探索
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