简体中文 English
X
News center
Click to expand
碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
氮化镓与超结硅不同封装的结-壳热阻（ RthJC ）比较
不同的封装会有不同的结-壳热阻。但封装形式的影响远远小于芯片自身的尺寸对结-壳热阻的影响。我们使用英飞...
为何GaN HEMT没有雪崩击穿？
GaN有很高的击穿场强（硅的10倍） 就硅器件而言，高电场导致硅PN结出现雪崩击穿 GaN HEMT 更像瓷片电容击穿，因为...
寄生电容: GaN和硅超结MOS对比
氮化镓 HEMT: Coss随VDS电压的变化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=200pF/41pF=4.89 硅超结MOS: Coss ...
氮化镓和超级结MOS管比较：dv/dt
氮化镓比超结MOS管的dv/dt高很多。在驱动设计的时候需要特别注意。这里有早些时候TO220封装的级联型氮化镓...
氮化镓功率器件晶圆级测试举例
测试未通过的芯片被标记，不被封装 在这个例子里，我们有: ü所有芯片(die): 229 ü坏的芯片: 32 &...
氮化镓功率器件晶圆级测试简介
晶圆级测试（CP）可以通过一些列的测试项目分别出好的和坏的芯片。这些测试项目包括室温和高温两种测试条件。针...