X
碳化硅是一种宽禁带半导体，具备高热导率，高击穿场强和高电子报和漂移速率。其中宽禁带和高热导率的特性决定了器件能承受住更高的工作结温。同时高击穿场强和高电子饱和漂移速率带来更低的导通和开关损耗。这些优势组合起来，就是更低的损耗和更高的开关频率，降低对系统散热要求的同时，减小无源原件（电容，电感，变压器）的体积和重量，进而大幅缩小整体系统尺寸和重量。
Tel:+86-025-51180705
Email:xinkansen@x-ipm.com
WeChat public account:X-IPM Technologies
