Nanjing X-IPM Technologies Co., Ltd.

级联型氮化镓的优缺点

Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:552次

Good: 优点

ØGaN HEMT天生就是常开型，容易设计和生产

Ø和硅一样的高阈值电压

Bad: 缺点

Ø性能相对差一些

Ø直接控制硅MOS的门极，而非氮化镓的门极

Ø需要外加TVS器件来保护低压MOS

Ø氮化镓和MOS管的Coss 匹配不易

Ø仍然有Qrr

Tel:+86-025-51180705

Email:xinkansen@x-ipm.com

WeChat public account:X-IPM Technologies

Consultation Consult now