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我们对质量的思想方针

“质量第一，顾客至上，优质高效，持续改进” 是芯干线始终恪守的质量方针。

我们将质量视为企业生命线，以顾客需求为导向，凭借专业能力提供优质高效的产品与服务，同时通过不断革新技术与流程实现自我超越，全力保障每一位顾客的期望得到精准满足。

我们做到的

芯干线单管可靠性认证（参考AEC-Q101）

我司单管可靠性项目主要参考AEC-Q101进行；根据AEC-Q101E-2021新版规范，认证测试通用项目大大小小算起来共有37项，但并非所有的测试,项目都需要测试，需要依据不同的器件类型，封装形式，安装方式等等来选择要进行的测试项目。

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认证包含了分立半导体元件最低应力测试要求的定义和参考测试条件，目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。AEC-Q101中A组、B组试验依据、条件如下：

A组:加速环境应力试验
编号	试验项目	简称	notes	每批样品个数	批数	试验依据	主要试验条件
A1	预处理	PC	GS	77	3	J-STD-020 JESD22A113	仅在测试A2、A3、A4、A5和C8之前对表面贴装部件(SMD)进行测试。测试之前和之后的PC。
A2	偏压高加速应力试验	BHAST	DGUV3	77	3	JESD22A-110	1、试验周期：96H，Ta=130℃，RH=85%； 2、Vbe=80%Vbemax，直到电压超过该电压时可能会在室内发生电弧(通常为42代)； 3、试验前后电测
A2alt	高温高湿反偏	H³TRB	DGUV3	77	3	JESD22A-101	1、试验周期：1000H； 2、Ta=85℃/85%RH； 3、部分Vbe=80%Vbemax，最高可达100V或室极限； 4、试验前后电测
A3	无偏压高加速应力测试	UHAST	DGU	77	3	JESD22A-118 JESD224-101	1、试验周期：96H； 2、Ta=130℃/85%RH； 3、试验前后电测
A3alt	高温蒸煮	AC		77	3	JESD224-102	1、试验周期：96H； 2、Ta=121℃/100%RH，101kPa； 3、试验前后电测
A4	温度循环	TC	DGUV3	77	3	JESD224-104 Appendix6	1、试验周期:1000循环； 2、-55℃-到最高额定预温，不超过150℃； 3、试验前后电测当TA(最大)=Timax+25℃或使用TA(最大)=175℃，可将循环数减少到400个循环=175。
A4a	温度循环热试验	TCHT	DGUV1，2	77	3	JESD224-104 Appendix6	125℃，然后对E5中5个器件的所有导线进行开盖和导线拉力(测试C3WBP) 用于内部焊线直径小于等于5mil的部件。(样品可以是测试A4的一个子集)
A4alt	温度循分层试验	TCDT	DGUV1，2	77	3	JESD22A-104 Appendix6 J-STD-035	1、对TC结束后的器件进行C-Sam试验； 2、从5个分层最严重的器件中，按appendix 6进行开封，并作键合线拉力试验； 3、若C-Sam显示无分层，则不需开封和键合线拉力试验
A5	间歇寿命	IOL	DGPTUW3	77	3	MIL-STD-750 Method 1037	1、试验周期由表2A推算； 2、Ta=25℃； 3、器件通电以确保ΔTJ≥100°C(不要超过绝对最大额定值)； 4、试验前后电测
A5alt	功率温度循环	PTC	DGTUW	77	3	JESD22A-105	如果用 IOL 不能达到Taj=100C，则执行PTC。 1、试验周期由表2A推算； 2、Ta=-40-105℃，转换时间20min，停留时间10min； 3、lon=lcmax，ton/toff=5min； 4、试验前后电测

B组：加速寿命模拟试验
编号	试验项目	简称	notes	每批样品个数	批数	试验依据	主要试验条件
B1	高温反偏	HTRB	DGKPVX 3	77	3	MIL-STD-750	1、试验周期：1000H； 2、Vbe=Vbemax； 3、Ta=150℃，需要根据漏电流大小调整； 4、试验前后电测； 5、Ta=30℃/-5℃时，才能去除偏置； 6、对于双极和肖特基器件(仅在管芯处使用不同金属(例如AU/AI)的键合系统，在HTRB之后在5个部件上进行去盖和拉丝。键应该比线更牢固。
B2	高温栅偏	HTGB	DGMPU3	77	3	JESD22A-108	1、试验周期：1000H; 2、Tj达到额定最大/150℃； 3、VGS=最大额定正电压，D-S短接； 4、若将结温上升25℃℃，则试验周期降至500H； 5、试验前后电测
B2	高温栅偏	HTGB	DGMPU3	77	3	JESD22A-108	1、试验周期：1000H； 2、Tj达到额定最大/150℃； 3、VGS=最大额定负电压，D-S短接； 4、若将结温上升25℃，则试验周期降至500H； 5、试验前后电测

芯干线单管可靠性方案定制案例

芯干线参考AEC-Q101标准对产品进行认证，为满足特定应用或客户需要，芯干线支持制定额外的可靠性及质量认证实验。

测试要求
项目	序号	条件	简称	数量	时间	标准	备注
湿载等级	1	MSL3	BARC：125℃24HRS； SOAK： 60℃60MH, 40HRS REFLOW：260℃，3次	80只*4	/	J-STD-020	试验前后电性能参数符合规格书规定；试验前后参数变化在初始值±20%以内； IGSS/IDSS为初始值10倍以内；	48h内完成测试	仅表贴器件
高温高压压偏	2	H3TR8	Ta=85℃/85%RH 高温高湿反偏 H3TRB VDS=80V， G-S短接	80只	1000h	JES022A-101		48h内完成测试	0h/500h/1000h电测
无偏压高加速压力测试	3	UHAST	Ta=130℃ 85%MH	80只	96h	JES022A-118 JESD224-101		48h内完成测试	0h/48h/96h电测
温度循环	4	TC	温度-55℃~150℃℃ 温度循环 TC 转换时间11min，保持时间20min	80只	1000cyc	JES022A-104 Appendix6	试验前后电性能参数符合规格书规定；试验前后参数变化在初始值±20%以内； IGSS/IDSS为初始值5倍以内；	2-48h内完成测试	0c/500c/1000cc电测
间歇寿命	5	IOL	Ta=75℃，Tvjmax=150℃, ΔTj=100℃; Vg=0V/6V	80只	1000h	MIL-STD-750 Method 1037		96h内完成测试	0h/500h/1000h电测
高温反偏	6	HTRB	Ta=150℃, VDS=860V, G-S短接	80只	1000h	JESD22A-108		24h内完成测试	0h/500h/1000h电测
高温栅偏	7	HTGB	Ta=150℃, VGS=6V, D-S短接	80只	1000h	JESD22A-108		96h内完成测试	0h/500h/1000h电测

芯干线模块可靠性认证（参考AEC-Q101）

QG324制定了完善的车规级功率模块的可靠性试验流程，可以有效验证产品可靠性，指导厂商更深入了解其产品可靠性能，从而加快产品开发速度，优化工艺流程。

模块特性测试主要用于验证功率模块的基本电气功能特性和机械数据。

除此之外，这些测试可以针对设计中与功能退化（功能失效）无关的薄弱点进行早期探测和评估，包括元器件的几何布置、组装、互连技术和半导体质量。

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模块特性测试设备方案

环境测试主要用于验证电力电子模块在机动车辆中的适用性，包括物理分析、电气和机械参数验证以及测试绝缘属性。

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环境测试设备方案

寿命测试主要是验证产品在规定条件下的使用寿命、贮存寿命是否达到规定的要求，发现设计缺陷，确定失效机理等，例如功率循环测试主要是触发/激发电力电子模块的典型退化机制。

该过程主要区分为两种失效机制：靠近芯片互连的疲劳失效(chip-near)和距离芯片互连较远的疲劳失效(chip-remote)。

两种失效机制均由不同材料（具有不同的热膨胀系数）之间的热机械应力引发。

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寿命试验设备方案

QC组：模块特性测试
编号	试验项目	简称	试验依据	主要试验条件/描述
QC-01	寄生余散电感	Lp		确定了检测器件单电流路径主触点的寄生余散电感LP
QC-02	热阻值	Rh	IEC 60747-15:2012, section 5.3.2 (double pulse testing)
QC-03	短路闭路		IEC 60747-15:2012, section 5.3.6
QC-04	绝缘测试	AC	JESD22A-118	绝缘电阻：1.预处理：5±2℃，8h 2.条件：23±5℃，90(+10/-5)RH,86-106kPa，8h 3V ≥ 1.5V/Vbenmax&V ≥ 50W，绝缘电阻≥100MΩ；4.至少每30min记录一次数据，小电强度：1.预处理：30±2℃直到完全加热，2.条件：23±5℃，93(+10/-5)RH,86-106kPa，48h 3.测试后需测试绝缘电阻≥100MΩ
QC-05	机械参数检测		JESD224-102

QE组：模块特性测试
编号	试验项目	简称	试验依据	主要试验条件/描述
QE-01	温度冲击	TST	IEC 60749-25:2003条件G	1.温度：-40/+125℃， 2.转换时间≤30s， 3.停留时间≥15min， 4.循环次数≥1000
QE-03	机械振动	V	IEC 60068-2-6	模拟驾驶操作期间模块的振动负载，并用于验证模块对故障模式（例如设备分离和材料疲劳）振动的抵抗力。
QE-04	机械冲击	MS	IEC 60068-2-27	1.峰值加速度：500m/s 2.持续时间：6ms 3.每个方向冲击次数(±X±Y±Z)10次 4.DUT数量：6

QL组：寿命测试
编号	试验项目	简称	试验依据	主要试验条件/描述
QL-01	功率循环	PCsec	IEC 60749-34:2011
QL-02	功率循环	Pcmin	IEC 60749-34:2011
QL-03	高温负荷	HTS	IEC 60749-6:2002	1.温度：≥125℃，2.时间1000h
QL-04	低温负荷	LTS	JEDEC RESD-22 A119:2015	1.温度：≤-40℃，2.时间1000h
QL-05	高温负荷	HTRB		1.温度:Tjmax 2.V≥80V max 3.时间≥1000h
QL-06	高温继电器	HTGB	IEC 60747-9:2007 section 7.1.4.1 (IGBT)	1.温度:Tjmax 2.VGE=VGE max 3.时间≥1000h
QL-07	高温高湿负荷	HSTRB	IEC 60747-8:2010 (MOSFET)	1.温度:Tjmax 2.VGS=VGS min 3.时间≥1000h
QL-08	高温高湿负荷	HSTRB	IEC 60747-2:2016 (Diode)	1.温度:85℃ 湿度85%RH 2.VR=80V max/80V 3.时间≥1000h