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SiC
SiC（碳化硅）
被广泛应用的第三代宽禁带半导体材料
一种基于碳化硅(SiC) 材料的功率半导体器件，属于宽禁带半导体(禁带宽度约 3.3eV，是硅的 3倍)。
SiC MOSFET产品以高效节能、坚固可靠著称，助力客户提升系统性能与能效，赋能绿色未来，是您值得信赖的合作伙伴。携手共赢，驱动创新。
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宽禁带特性突出
禁带宽度约为 3.26eV（硅的 3 倍以上），能承受更高的击穿电场（约为硅的 10 倍），因此基于 SiC 制造的器件（如 MOSFET、二极管）可实现更薄的外延层、更高的耐压值，在高压电力转换场景（如新能源汽车逆变器、智能电网）中，能大幅减小器件体积并降低能量损耗。
耐高温与热稳定性强
SiC 的热导率约为 490W/(m・K)（硅的 3 倍），且高温下仍能保持稳定的电学性能，器件最高工作温度可达 600℃以上（硅器件通常不超过 150℃）。这使其无需复杂的散热系统即可在高温环境（如航空航天设备、工业电机）中可靠运行，同时减少散热部件的重量与成本。
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高频与低损耗优势显著
SiC 的电子饱和漂移速度约为 2×10⁷cm/s（硅的 2 倍），且寄生电容、导通电阻远低于同规格硅器件，在高频工作场景（如 5G 基站射频器件、雷达系统）中，能有效降低开关损耗与导通损耗，提升能量转换效率，同时减少器件发热对系统稳定性的影响。
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抗辐射能力优异
SiC 晶体结构稳定，对中子、γ 射线等辐射的耐受性远高于硅材料，在核工业设备、航天器电子系统等强辐射环境中，器件不易出现性能衰减或失效，可靠性更强。
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应用场景高度适配
凭借上述特性，SiC 器件已广泛应用于新能源汽车（车载电源、充电桩）、储能系统（逆变器、变流器）、工业控制（高压电机驱动）、航空航天等领域，是推动电力电子设备向 “小型化、高效化、高可靠化” 升级的核心材料之一。
应用领域
用硬核科技赋能高效能源世界，驱动人类可持续发展
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三代半导体（碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）功率器件，凭借高功率密度、高效率、高可靠性，在海洋电子领域应用前景广阔。它们可提升船舰动力、深海勘探设备等的能源效率，降低散热需求，增强海洋恶劣环境适应性，助力设备小型轻量化，还能支撑海上风电等新能源电力转换传输及岸基 / 船基充电，为海洋资源开发提供先进电子硬件保障。
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以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的三代宽禁带半导体，凭耐高压、耐高温、高频高效特性变革移动出行功率电子系统。其应用于新能源汽车电驱主逆变器，可降损耗、提效率，增约 10% 续航并精简体积重量；赋能 800V 高压快充平台，大幅提升充电速度，破解续航与充电焦虑，是汽车电动化核心驱动力。
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三代宽禁带半导体（碳化硅-SiC和氮化镓-GaN）功率器件凭借其耐高压、耐高温、高频高效的特性，在低空飞行器（如无人机和eVTOL）的电驱动系统中扮演着核心角色，显著提升了飞行器的性能与可靠性。
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三代宽禁带半导体（尤其是碳化硅-SiC和氮化镓-GaN）功率器件，以其耐高压、耐高温、高频高效的特性，正成为提升AI算力基础设施能源效率的关键。
碳化硅（SiC）器件与硅基 IGBT 模组是现代能源电力电子核心。SiC 凭高频高效耐高温特性，革新光伏、新能源车等领域，降本增效；IGBT 模组性价比突出，主导大功率场景。二者长期互补，助力电力系统升级，是 “双碳” 战略重要技术支撑。
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在消费电子技术迭代中，硅（Si）、碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）三类半导体材料各展所长，共同推动产品升级。其中，传统硅基器件凭借成熟工艺和成本优势，长期支撑消费电子基础电路运行，是行业发展的基石。
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碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的三代宽禁带半导体，正重塑电动工具性能格局。SiC 器件高频高效的特性，能提升无绳电动工具电机转速与扭矩，延长续航；GaN HEMT 则凭借超高开关速度，打造小巧轻便的超快充充电器，20 分钟即可满电，大幅提升使用效率与便利性。
