Si
Si（硅）
全球应用最广泛的半导体材料
硅基MOSFET以成熟可靠、高性价比优势，主导消费电子与汽车电子（2026年占比将达32%6）市场，2026年全球规模预计达94亿美元，稳居中低压应用首选。
.svg)
电学性能均衡可控
硅的禁带宽度约 1.12eV（室温下），介于导体与绝缘体之间，具备基础导电能力的同时，可通过 “掺杂” 技术精准调控电学特性 —— 掺入磷等元素形成 N 型半导体（电子导电），掺入硼等元素形成 P 型半导体（空穴导电），两种类型结合能构建二极管、三极管、MOSFET 等基础电子器件，为电路的开关、放大、控制功能提供核心支撑，适配从低压消费电子到中高压工业设备的多元需求。
.svg)
物理化学稳定性强
常温下硅化学性质稳定，不易与空气、水发生反应，且熔点高达 1414℃，能耐受电子器件制造中的高温工艺（如沉积、退火）与日常工作环境；同时硅的机械强度较高，可加工成厚度仅数百微米的 “硅晶圆”，满足集成电路 “高集成度、小型化” 的制造要求，保障器件在组装、使用过程中的结构稳定性。
.svg)
资源丰富且成本可控
硅是地壳中含量第二丰富的元素（约占地壳质量的 28%），主要以石英砂（二氧化硅）形式存在，原料获取便捷且成本低廉；经过数十年技术迭代，硅的提纯工艺（纯度可达 99.9999999% 以上）、晶圆制造（从 4 英寸到 12 英寸大尺寸晶圆量产）、器件封装等全产业链技术已高度成熟，规模化生产进一步降低单位成本，成为消费电子、工业控制等大众领域的 “性价比之选”。
.svg)
应用场景覆盖广泛
尽管第三代半导体（如 GaN、SiC）在高频、高温、高压场景中更具优势，但硅半导体凭借 “性能适配性 + 工艺成熟度”，仍是全球半导体市场的绝对主力：不仅是集成电路（CPU、MCU、存储芯片）、分立器件（硅二极管、三极管）的核心基材，还广泛用于光伏领域（硅基太阳能电池占全球光伏市场 90% 以上份额），覆盖电子信息、新能源、工业制造等全产业链，短期内难以被完全替代。
.webp)
.webp)
应用领域
用硬核科技赋能高效能源世界，驱动人类可持续发展
.webp)
三代半导体（碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）功率器件，凭借高功率密度、高效率、高可靠性，在海洋电子领域应用前景广阔。它们可提升船舰动力、深海勘探设备等的能源效率，降低散热需求，增强海洋恶劣环境适应性，助力设备小型轻量化，还能支撑海上风电等新能源电力转换传输及岸基 / 船基充电，为海洋资源开发提供先进电子硬件保障。
.webp)
以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的三代宽禁带半导体，凭耐高压、耐高温、高频高效特性变革移动出行功率电子系统。其应用于新能源汽车电驱主逆变器，可降损耗、提效率，增约 10% 续航并精简体积重量；赋能 800V 高压快充平台，大幅提升充电速度，破解续航与充电焦虑，是汽车电动化核心驱动力。
.webp)
三代宽禁带半导体（碳化硅-SiC和氮化镓-GaN）功率器件凭借其耐高压、耐高温、高频高效的特性，在低空飞行器（如无人机和eVTOL）的电驱动系统中扮演着核心角色，显著提升了飞行器的性能与可靠性。
.webp)
三代宽禁带半导体（尤其是碳化硅-SiC和氮化镓-GaN）功率器件，以其耐高压、耐高温、高频高效的特性，正成为提升AI算力基础设施能源效率的关键。
碳化硅（SiC）器件与硅基 IGBT 模组是现代能源电力电子核心。SiC 凭高频高效耐高温特性，革新光伏、新能源车等领域，降本增效；IGBT 模组性价比突出，主导大功率场景。二者长期互补，助力电力系统升级，是 “双碳” 战略重要技术支撑。
.webp)
在消费电子技术迭代中，硅（Si）、碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）三类半导体材料各展所长，共同推动产品升级。其中，传统硅基器件凭借成熟工艺和成本优势，长期支撑消费电子基础电路运行，是行业发展的基石。
.webp)
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的三代宽禁带半导体，正重塑电动工具性能格局。SiC 器件高频高效的特性，能提升无绳电动工具电机转速与扭矩，延长续航；GaN HEMT 则凭借超高开关速度，打造小巧轻便的超快充充电器，20 分钟即可满电，大幅提升使用效率与便利性。
