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GaN
GaN（氮化镓）
性能优异的宽禁带半导体材料
GaN（氮化镓）作为第三代半导体核心材料，其特点集中体现在电学性能优异、物理稳定性强、应用场景适配性高三大维度，具体可拆解为以下关键特性：
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宽禁带（Wide Band Gap）
禁带宽度约 3.4eV，远高于硅（1.12eV），这使其能承受更高的电压和温度，不易被高能粒子击穿，适合在高温、强辐射等极端环境下工作（如航空航天、核工业电子器件）。
高击穿电场
击穿电场强度约为 3.3MV/cm，是硅的 10 倍以上，意味着在相同耐压需求下，GaN 器件的厚度可大幅减小，体积更轻薄，功率密度更高（如新能源汽车的小型化功率模块）。
高热导率
热导率约 130-200W/(m・K)，优于硅（150W/(m・K)）和碳化硅（490W/(m・K) 以下部分规格），散热效率高，能有效降低器件因高温产生的性能损耗，延长使用寿命（如快充充电器、服务器电源）。
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高电子迁移率
电子迁移率约 2000cm²/(V・s)，是硅的 2-3 倍，可让电子在材料中移动速度更快，使 GaN 器件具备更高的开关频率（可达 MHz 级别），适合高频通信场景（如 5G 基站的射频功放、卫星通信器件）。
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低导通损耗
GaN 器件（如 HEMT 高电子迁移率晶体管）导通电阻极低，电流通过时的能量损耗远小于传统硅器件，能显著提升能量转换效率（如光伏逆变器、储能系统，效率可提升至 99% 以上）。
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耐高频、抗辐射
因宽禁带特性，GaN 对高频信号的衰减小，且不易受辐射影响导致性能退化，是高频射频、空间通信等领域的核心材料（如雷达系统、航天器通信模块）。
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应用领域
用硬核科技赋能高效能源世界，驱动人类可持续发展
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三代半导体（碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）功率器件，凭借高功率密度、高效率、高可靠性，在海洋电子领域应用前景广阔。它们可提升船舰动力、深海勘探设备等的能源效率，降低散热需求，增强海洋恶劣环境适应性，助力设备小型轻量化，还能支撑海上风电等新能源电力转换传输及岸基 / 船基充电，为海洋资源开发提供先进电子硬件保障。
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以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的三代宽禁带半导体，凭耐高压、耐高温、高频高效特性变革移动出行功率电子系统。其应用于新能源汽车电驱主逆变器，可降损耗、提效率，增约 10% 续航并精简体积重量；赋能 800V 高压快充平台，大幅提升充电速度，破解续航与充电焦虑，是汽车电动化核心驱动力。
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三代宽禁带半导体（碳化硅-SiC和氮化镓-GaN）功率器件凭借其耐高压、耐高温、高频高效的特性，在低空飞行器（如无人机和eVTOL）的电驱动系统中扮演着核心角色，显著提升了飞行器的性能与可靠性。
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三代宽禁带半导体（尤其是碳化硅-SiC和氮化镓-GaN）功率器件，以其耐高压、耐高温、高频高效的特性，正成为提升AI算力基础设施能源效率的关键。
碳化硅（SiC）器件与硅基 IGBT 模组是现代能源电力电子核心。SiC 凭高频高效耐高温特性，革新光伏、新能源车等领域，降本增效；IGBT 模组性价比突出，主导大功率场景。二者长期互补，助力电力系统升级，是 “双碳” 战略重要技术支撑。
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在消费电子技术迭代中，硅（Si）、碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）三类半导体材料各展所长，共同推动产品升级。其中，传统硅基器件凭借成熟工艺和成本优势，长期支撑消费电子基础电路运行，是行业发展的基石。
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碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的三代宽禁带半导体，正重塑电动工具性能格局。SiC 器件高频高效的特性，能提升无绳电动工具电机转速与扭矩，延长续航；GaN HEMT 则凭借超高开关速度，打造小巧轻便的超快充充电器，20 分钟即可满电，大幅提升使用效率与便利性。
