XUS010N1X3TL3
产品在售
100V/1.3mR硅MOS，TOLL封装，极致低内阻，实现超高功率密度与高效能。
概述
这款100V/1.3mΩ硅MOSFET采用TOLL封装，具备极低的导通电阻和出色的散热能力，其低寄生电感特性有助于优化EMI表现。该封装相比TO-263节省约30%的PCB面积，厚度减少50%，支持高功率密度设计。产品适用于电动汽车DC-DC转换器、电池管理系统及高效服务器电源等场景，能有效提升系统效率和可靠性。
参数
VDS[V]
100
IDS[A]@25℃
325
VGS-max [V]
±20
VGS(th)[V] @25℃
3.1
RDS(on)[mΩ] @VGS=10V
1.3
Qg[nC]
137
封装形式
TOLL
状态
产品在售
特点
-
极低的导通损耗低导通电阻最小化导通损耗 -
优异的鲁棒性100%通过雪崩测试筛选和RoHS测试 -
低开关损耗优化的栅电荷设计最小化开关损耗
应用范围
100V/1.3mR超低内阻TOLL封装硅MOS，兼具高频高效与出色散热性，助力服务器电源、电动工具及车载系统提升功率密度与可靠性，优化综合成本。
硬开关和高速电路
SMPS中的同步整流
电信和工业中的DC/DC转换器
