X3USN0154X0TL3-A
产品在售
150V/3.4mR硅MOS，TOLL封装，实现高压低阻与高效散热，提升功率密度和可靠性。
概述
50V/3.4mR N沟道MOSFET采用TO263封装，具有超低导通电阻（3.9mΩ）和150V耐压能力，显著降低导通损耗，提升能效。其快速开关特性适用于高频电路，优异散热设计支持大电流（如180A）持续工作。广泛应用于电机驱动、BMS电池管理、光伏逆变器及车载DC-DC转换器，满足高功率密度与可靠性需求
参数
VDS[V]
150
IDS[A]@25℃
250
VGS-max [V]
±20
VGS(th)[V] @25℃
3.2
RDS(on)[mΩ] @VGS=10V
3.4
Qg[nC]
43
封装形式
TOLL
状态
产品在售
特点
-
极低的导通损耗低导通电阻最小化导通损耗 -
优异的鲁棒性100%通过雪崩测试筛选和RoHS测试 -
低开关损耗优化的栅电荷设计最小化开关损耗
应用范围
这款150V/3.4mR硅MOSFET采用TOLL封装，极低内阻兼顾高效与散热。特别适用于服务器电源、电动工具及工业电机驱动，助力提升功率密度，优化系统成本与可靠性。
硬开关和高速电路
SMPS中的同步整流
电信和工业中的DC/DC转换器
