XS013SS120D4
产品在售
1200V/13mΩ SIC MOSFET单开关功率模块，采用SOT-227封装，适用于高温高频等严苛工况的控制系统和新能源相关领域。
概述
芯干线1200V/13mΩ SIC MOSFET功率模块采用SOT-227封装，具有超低寄生电感和优异散热性能，其高频开关特性和低开关损耗能显著提升系统效率，适用于光伏逆变器、电动汽车充电桩及工业电源等中高功率场景，助力实现紧凑、高效的系统设计。
参数
VDS[V]
1200
R[mΩ]/I[A]
13
电路拓扑
单管
封装形式
D4
状态
产品在售
特点
-
低杂散电感最小化回路面积设计，将模块杂散电感降至最低 -
低开关损耗开关速度快，发热量少，能效提升显著，减少散热需求 -
高频应用寄生电容小可实现高速切换，开关损耗低，适合高频应用 -
高温稳定性更高工作结温，提升功率密度，结温高达175℃以上
应用范围
1200V/13mΩ SIC MOSFET模块采用SOT-227封装，基于单开关拓扑，更灵活的串并联应用。其高频高效特性显著提升光伏逆变器、充电桩及工业电源的功率密度与效率，更可满足多样化拓扑需求。
高频开关应用
光伏储能逆变器
不间断电源系统
