XS003HB120N6
产品在售
1200V/3mΩ SIC MOSFET半桥模块，采用Easy3B封装，适用于高温高频等严苛工况的控制系统和新能源相关领域。
概述
芯干线1200V/3mΩ SIC MOSFET半桥模块，采用Easy3B封装，全对称电路设计，实现极低的回路杂散电感和开关损耗，可实现稳定的高频高效运行。其高功率密度和优异的散热性能，可显著提升光伏逆变器、工业电源等系统的效率与功率密度，同时可减小体积与降低成本。
参数
VDS[V]
1200
R[mΩ]/I[A]
3
电路拓扑
半桥
封装形式
N6
状态
产品在售
特点
-
低开关损耗开关速度快，发热量少，能效提升显著，减少散热需求 -
高频应用寄生电容小可实现高速切换，开关损耗低，适合高频应用 -
高温稳定性更高工作结温，提升功率密度，结温高达175℃以上
应用范围
1200V/3mΩ SIC MOSFET半桥模块，采用Easy3B封装，全对称电气回路和Kelvin连接，为光伏逆变器、储能及工业驱动提供高效率与高功率密度解决方案，同时可降低系统周边成本，实现更高性价比。
高频开关应用
光伏储能逆变器
不间断电源系统
