XS060SPRB065N1
产品在售
650V/60mΩ SIC MOSFET功率模块，采用Easy1B封装与PIM拓扑，适用于高温高频等严苛工况的控制系统和新能源相关领域。
概述
芯干线650V/60mΩ SIC MOSFET功率模块，采用Easy1B封装与PIM拓扑，集成了整流、制动与三相逆变功能。其碳化硅技术带来高频高效、低开关损耗的卓越性能，显著提升系统功率密度和可靠性。非常适用于伺服驱动器、工业变频器等紧凑型高性能应用，能显著简化系统设计并提升能效。
参数
VDS[V]
650
R[mΩ]/I[A]
60
电路拓扑
PIM
封装形式
N1
状态
产品在售
特点
-
低开关损耗开关速度快，发热量少，能效提升显著，减少散热需求 -
高频应用寄生电容小可实现高速切换，开关损耗低，适合高频应用 -
高温稳定性更高工作结温，提升功率密度，结温高达175℃以上
应用范围
650V/60mΩ SIC MOSFET功率模块，采用Easy1B封装与集成PIM拓扑。模块采用Kelvin连接，其高频高效特性可显著提升光伏储能、工业电机驱动、工业变频器等系统的功率密度与能效，同时有助于降低系统整体成本，为设备升级提供了高性价比解决方案。
高频开关应用
光伏储能逆变器
不间断电源系统
