XUS010N3X6D2A
产品在售
100V/3.6mR硅MOS，TO263封装，极低导通电阻，提供高效功率转换和高功率密度。
概述
这款100V/3.6mΩ的硅MOS管采用TO-263封装，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，能显著降低功率损耗和温升，提升系统效率。其封装设计兼具良好的散热能力与空间适应性，适合高功率密度场景。可广泛应用于服务器电源、电机驱动、DC-DC转换及电池管理系统等高效率高可靠性领域
参数
VDS[V]
100
IDS[A]@25℃
130
VGS-max [V]
±20
VGS(th)[V] @25℃
3
RDS(on)[mΩ] @VGS=10V
3.6
Qg[nC]
91
封装形式
TO-263
状态
产品在售
特点
-
极低的导通损耗低导通电阻最小化导通损耗 -
优异的鲁棒性100%通过雪崩测试筛选和RoHS测试 -
低开关损耗优化的栅电荷设计最小化开关损耗
应用范围
100V/3.6mR硅MOS，TO263封装，导通损耗极低。适用于通信电源、电机驱动等高效率、高功率密度场景，以工业级可靠性和极具竞争力的成本，提升系统性能。
硬开关和高速电路
SMPS中的同步整流
电信和工业中的DC/DC转换器
