XUS15004ND2A
产品在售
150V耐压，4.2mR超低内阻，TO263封装，高效能高功率密度，适用于电源及电机驱动。
概述
这款150V/4.2mR的硅MOS管采用TO263封装，具有低导通电阻和优异的散热性能，可实现高效率的功率转换。其高开关速度有助于减小储能元件（如电感和变压器）体积。该器件适用于工业电源、电机驱动、DC-DC转换器及新能源车车载电源等场景，能有效提升系统功率密度和可靠性
参数
VDS[V]
150
IDS[A]@25℃
195
VGS-max [V]
±25
VGS(th)[V] @25℃
3
RDS(on)[mΩ] @VGS=10V
4.2
Qg[nC]
148
封装形式
TO-263
状态
产品在售
特点
-
极低的导通损耗低导通电阻最小化导通损耗 -
优异的鲁棒性100%通过雪崩测试筛选和RoHS测试 -
低开关损耗优化的栅电荷设计最小化开关损耗
应用范围
150V/4.2mR硅MOS，TO263封装，兼具高耐压与超低导通损耗。在服务器电源、电机驱动中提升能效和功率密度，性价比卓越，助力客户优化系统总成本。
硬开关和高速电路
SMPS中的同步整流
电信和工业中的DC/DC转换器
