XD6504D
产品在售
650V 4A SiC Schottky Barrier Diode
概述
这款650V/6A碳化硅肖特基二极管采用DFN5×6封装，具有零反向恢复电流、开关损耗低等优势。其最高工作结温可达175℃，支持高频操作，能显著提升功率密度和效率。特别适用于高频PFC电路、快充适配器、服务器/电信电源等对散热和空间要求严苛的场合
参数
VDS [V]
650
IF[A]@150℃
12
VF[V]
1.5
IFSM[A]
35
j i²dt [A²s]
5.8
QC[nC]
12
封装形式
TO-252-2L
可靠性
工规
状态
产品在售
特点
-
无反向恢复SiC SBD单极导通，无反向恢复过程 -
高击穿电压SiC 材料击穿场强高，器件耐压等级可达数千上万伏 -
高浪涌电流SiC高导热性可承受极端工况下的大电流
应用范围
这款650V/6A碳化硅二极管采用DFN5*6紧凑封装，具有高频高效、耐高温的卓越特性。广泛应用于服务器电源、光伏逆变器、新能源汽车充电桩等高端领域，助力提升系统功率密度与可靠性，同时优化整体成本。
开关电源
功率因数校正
电机驱动，牵引
充电堆
