XD065A0065
产品在售
650V SiC Schottky Barrier Diode
概述
这款650V/4A碳化硅肖特基二极管采用DFN5×6封装，具有零反向恢复电流、开关损耗低等优势。其最高工作结温可达175℃，支持高频操作，能显著提升功率密度和效率。特别适用于高频PFC电路、快充适配器、服务器/电信电源等对散热和空间要求严苛的场合
参数
VDS [V]
650
IF[A]@150℃
6
VF[V]
1.27
IFSM[A]
52
QC[nC]
17
封装形式
DFN5*6
可靠性
工规
状态
产品在售
特点
-
高温稳定性支持工业级温度范围(-55°C至175°C)，适用于高温环境 -
高频特性支持高开关频率(可达200kHz以上)，降低开关损耗 -
低损耗设计SiC材料特性大大减少传导损耗，大幅度地提升了能效
应用范围
该系列产品已应用于AI服务器电源、工业变频器等高端领域，推动国产SiC器件替代进口方案。
工业电机驱动
电源系统
新能源设备
特种电源
