X3M120040H
产品在售
N-channel 1200V SiC Power MOSFET
概述
芯干线碳化硅MOSFET采用业内最先进的碳化硅工艺，实现了更高的沟道迁移率和更低的导通电阻，兼具卓越的开关性能与超越车规级的可靠性。
其核心性能优势包括：支持高频开关，显著减小无源器件体积；更高工作结温，提升功率密度；极低的开关损耗和导通损耗，助力系统实现超高能效。
该产品系列覆盖广泛电压范围，是新能源汽车电驱、OBC、光伏逆变器、工业电源及数据中心服务器等高压、高效率应用的理想选择。
参数
VDS [V]
1200
IDS[A] @25°C
64
VGS-max [V]
-8/+22
VGS(th)[V] @25°C
2.6
RDS(on)[mΩ] @VGS=18V
40
Qg[nC]
100
封装形式
TO-247-4
可靠性
工规
状态
产品在售
特点
-
高阻断电压SiC 材料击穿场强高，器件耐压等级可达数千上万伏 -
低导通电阻导通电阻小，发热少，能效提升显著，减少散热需求 -
高速切换与低电容开关速度快，寄生电容小，开关损耗低，适合高频应用 -
易于并行和简单驱动管并联方便，驱动方式简单，设计灵活，可靠性高 -
耐高温更高工作结温，提升功率密度，结温高达175℃以上 -
TO-247-16封装立开尔文源极，抑制栅极振荡，四引脚设计，优化高频性能
应用范围
碳化硅MOSFET适用于新能源汽车电驱、OBC、光伏逆变器、工业电源及数据中心服务器。凭借高频、高效、耐高温特性，可显著提升系统能效、降低损耗与体积，并增强可靠性。
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