XI800SP120A4S
产品在售
1200V/800A IGBT模块，采用HPDPLUS封装和三相逆变拓扑，适用于电动汽车主驱系统和新能源相关领域。
概述
芯干线1200V/800A IGBT功率模块采用HPDPLUS封装与三相逆变拓扑，采用PinFin底板设计，具备高功率密度、低寄生电感和卓越的散热性能。其高集成度与可靠性，特别适用于混合动力和电动汽车
电机驱动的逆变器、新能源等领域，能有效简化系统设计，提升整机功率等级和效率。
参数
VDS[V]
1200
I[A]
800
电路拓扑
六单元
封装形式
A4
状态
产品在售
特点
-
低导通损耗导通时更低的VCEsat，有效降低导通损耗，大幅度提升能效 -
低电感设计优化的电路设计，实现模块极低的杂散电感 -
高效散热采用PinFin底板和水冷设计，极大提高模块的散热效率 -
先进的芯片技术沟槽栅极，场截止IGBT技术
应用范围
1200V/800A三相逆变IGBT模块，凭借HPDPLUS封装的高功率密度与可靠性，为大功率电机驱动逆变器、新能源逆变器等系统提供了高性价比的解决方案。
混合动力和电动汽车
电机驱动的逆变器
新能源
