XI900HB120N3L
产品在售
1200V/900A IGBT模块，采用EconoDUAL 3标准封装和半桥拓扑，适用于中高压工业控制和新能源相关领域。
概述
芯干线1200V/900A IGBT功率模块采用标准EconoDUAL3封装与半桥拓扑，具有高功率密度、低导通损耗及高可靠性等优势。其卓越性能特别适用于大功率驱动器、大功率逆变器、新能源及不间断电源等，能显著提升系统效率与功率等级，并简化结构设计。
参数
VDS[V]
1200
I[A]
900
电路拓扑
半桥
封装形式
N3
状态
产品在售
特点
-
低导通损耗导通时更低的VCEsat，有效降低导通损耗，大幅度提升能效 -
低电感设计优化的电路设计，实现模块极低的杂散电感 -
优异的热稳定性良好的导热路径和更低的热阻，高温环境表现更加出色 -
高功率密度高额定电流设计，适用于大功率需求场景
应用范围
1200V/900A半桥IGBT模块，基于EconoDUAL3封装，为大功率驱动器、逆变器及不间断电源提供高功率密度与可靠性，兼具优异性价比，助力系统紧凑化与成本优化。
通用逆变器
电机驱动
伺服驱动器
不间断电源(UPS)
