X3G6515A5D

X3G6515A5D

产品在售
X3G6515A5D 宽VCC范围HFQR控制器,带GaN集成
概述
X3G6515A5D是一款专为PD/快速充电应用而优化的高频QR控制器。其宽VCC工作电压范围(9V至85V),使其能够在3.3V至21V输出范围内覆盖PD/PPS应用,而无需使用额外的VCC绕组或线性降压电路。
参数
VDS [V]
700
IDS[A]@25℃
13
VGS-max[V]
QR
VGS(th)[V]@25℃
130
RDS(on)[mΩ]@VGS=6V
150
Qg[nC]
9-85
Qr[nC]
0
封装形式
DFN5*6
可靠性
工规
状态
产品在售
特点
  • 无反向恢复
    ​​​​无反向恢复
    GaN HEMT单极导通无反向恢复过程
  • 高频特性
    ​​​​高频特性
    GaN HEMT 二维电子气沟道高频高速输运模式
  • 低损耗设计
    ​​​​低损耗设计
    极低的栅电容和快速的二维电子气输运特性
应用范围
该650V/150mΩ氮化镓HEMT管合封驱动芯片,采用DFN5x6封装,兼具高频高效与高功率密度。特别适配快充、太阳能逆变器等场景,通过集成简化设计,显著提升能效并降低系统成本,助力紧凑型电源升级。
5W 交流/直流PD/适配器
高功率密度电源
交流/直流适配器和电池充电器
芯干线以第三代半导体之力,重塑能源效率的边界
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