X3G65045ATL
产品在售
TOLT封装氮化镓HEMT，650V/45mR，为高效快充和服务器电源提供理想解决方案。
概述
X3G65045ATL是一款700V功率GaN HEMT，封装形式为TOLT。基于p-GaN增强模式(E-模式)的GaN-on-silicon技术，它是一款通常处于关闭状态的独立器件。该器件可以在非常高的频率下进行软开关和硬开关操作，同时仍能实现高效率。此外，还采用了先进的封装方法，以获取低热阻和高器件性能。
参数
VDS [V]
700
IDS[A]@25℃
36
VGS-max[V]
-15 to 7
VGS(th)[V]@25℃
16
RDS(on)[mΩ]@VGS=6V
43
Qg[nC]
7.7
Qr[nC]
0
封装形式
TOLT
可靠性
工规
状态
产品在售
特点
-
无反向恢复GaN HEMT单极导通无反向恢复过程 -
高频特性GaN HEMT 二维电子气沟道高频高速输运模式 -
低损耗设计极低的栅电容和快速的二维电子气输运特性
应用范围
本品适用于PD快充、服务器电源及工业驱动。其高频特性提升效率与功率密度，TOLT封装优化散热与成本，实现高性能与高性价比的平衡。
开关电源
PC和服务器电源供应器
适配器、快速充电器
5G电源供应器
