X3G6506B8
产品在售
650V/60mR氮化镓HEMT，DFN8*8超小封装，实现高频高效电能转换。
概述
X3G6506B8是一款700V功率GaN HEMT，封装形式为DFN8*8，具有双栅极引脚。基于p-GaN增强模式(E-mode)的GaN-on-silicon技术，它是一款通常处于关闭状态的独立器件。该器件可以在非常高的频率下进行软开关和硬开关操作，同时仍能实现高效率。此外，我们专利的双栅极引脚结构旨在进一步提升开关性能，并在PCB布局上提供灵活性。先进的封装方法被采用，以获取低热阻和高器件性能。
参数
VDS [V]
700
IDS[A]@25℃
28
VGS-max[V]
-15 to 7
VGS(th)[V]@25℃
1.6
RDS(on)[mΩ]@VGS=6V
52
Qg[nC]
4.1
Qr[nC]
0
封装形式
DFN8*8
可靠性
工规
状态
产品在售
特点
-
无反向恢复GaN HEMT单极导通无反向恢复过程 -
高频特性GaN HEMT 二维电子气沟道高频高速输运模式 -
低损耗设计极低的栅电容和快速的二维电子气输运特性
应用范围
氮化镓HEMT产品650V/60mR规格，采用DFN8*8封装,针对此产品描述一段60字以内的产品应用介绍，包含不同应用领域优势，以及成本等多方面因素
开关电源
PC和服务器电源供应器
适配器、快速充电器
5G电源供应器
