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GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展,人们生活水平的提高,人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
氮化镓超小型65W适配器方案比较
拓扑结构 GaN主开关数量 频率范围 (KHz) 效率 电路调试难度 带壳体积 成本 QR (准谐振反激) 1 100~3...
氮化镓功率器件测试项目举例
氮化镓功率器件测试项目举例: 测试项目名称 Symbols 静态参数测试 Static (DC) parameters testing Rds...
级联型氮化镓的优缺点
Good: 优点 ØGaN HEMT天生就是常开型,容易设计和生产 Ø和硅一样的高阈值电压 Bad: 缺点 &...
商业化的 P-GaN HEMTs技术路线比较
Kevin J. Chen, Understanding the Dynamic Behavior in GaN-on-Si Power Devices and IC’s, Integra...
氮化镓功率器件软开关曲线
软开关的Ids-Vds包络线(B1软开通,B2软关断)所包裹的Ids-Vds坐标平面面积比硬开关的包络线(A1硬关断,A2硬开通)所...
65W超小型适配器发展史(2016年~2020年)
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