氮化镓功率器件和超结MOS管的芯片面积比较
时间:2023-04-13 作者: 分类:技术文章 浏览:831次

过去30年,超结MOS芯片面积不断减小,然而氮化镓却是一个质的飞跃

芯片面积小意味着更低的成本,但同时也会带来大一些的热阻(标称电流小)

尽管氮化镓是一个横向器件,其芯片面积与超结MOS相比,仍然具有巨大的面积优势:

参考文献:陈桥梁,功率MOSFET:从原理、特性到应用分析