氮化镓器件和硅超结MOS管损耗分析(硬开关)
时间:2023-04-13 作者: 分类:技术文章 浏览:784次

相同的击穿电压,通态电阻及工作频率下,根据以下损耗公式:

 

损耗分类

符号

超结MOS

氮化镓

备注

导通损耗

Pcond

相同

相同

相同的通态电阻Rdson 

开关损耗

Psw

更高

更低

氮化镓有更小的QGS2和QGD

输出电容Coss损耗

Pcoss

更高

更低

氮化镓的Coss更小

门级驱动损耗

Pgate

更高

更低

氮化镓有更小的门级驱动电压

反向导通损耗

Psd

更低

更高

氮化镓的Vsd更高

反向恢复损耗

Prr

更高

没有

氮化镓没有反向恢复电荷Qrr

硬开关总损耗

Phard_sw

更高

更低

氮化镓硬开关总损耗比超结MOS更低