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技术文章
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快,光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展,功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
氮化镓功率器件的一些基本特性
没有雪崩击穿,更加类似于介质击穿 没有p-型氮化镓管,氮化镓单片模拟/数字IC的设计与硅不同 最大门级电压被...
氮化镓通态电阻Rdson随温度的变化
让我们再来看一下氮化镓的通态电阻随温度的变化。左图是芯干线的氮化镓功率器件随温度的变化,从25度室温到15...
寄生电容: GaN和硅超结MOS对比
如果我们比较寄生电容,氮化镓的Coss随漏源极电压变化很小,Vds从0V上升到500V,Coss仅变化了5倍。而硅超级MOS管,C...
功率器件芯片面积的演进
这里我们来看一下硅MOS管的迭代。从普通的VDMOS到超结MOS管,超结MOS管自身也在不断迭代,新一代超结MOS管的芯...
氮化镓单片集成IC介绍
氮化镓市场趋势及价格
左边这张图,虽然老了一些,但可以看个大概的趋势。超结MOS管在几年前大约有9亿美元的市场。目前可能有十几亿美...
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