有了氮化镓芯片的晶圆工艺，我们现在来简单讲一下氮化镓封装。氮化镓功率器件的封装和硅功率器件很类似。在封装之前，都要经过CP也就是晶圆级测试。测试通过的芯片才会继续封装。首先我们要做的是晶圆的背部减薄。一般氮化镓功率器件的封装形式以DFN为主，这要求封装的时候晶圆厚度足够薄。减薄后划片的步骤和硅有所不同。因为氮化镓是一种相对比较硬的材料，需要使用激光刀先做凹槽蚀刻，再用钻石刀划片。划片后，可以把一颗颗的芯片从晶圆上取出，并放在放在需要封装的金属框架上。芯片上裸露的电极打线盘和框架上的打线盘通过金线、铜线或者铝线打线连接后可以使用环氧树脂做塑封。在正式出货前，封装好的芯片还要通过FT测试，也就是终测才能交给终端客户
