氮化镓功率器件的一些基本特性
时间：2023-04-13
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分类：技术文章
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- 没有雪崩击穿，更加类似于介质击穿
- 没有p-型氮化镓管，氮化镓单片模拟/数字IC的设计与硅不同
- 最大门级电压被限制在了7V，且与现有硅驱动IC不兼容，驱动需要特别的IC或设计
- 氮化镓功率器件特有的动态电阻现象，会在工作的时候增加通态电阻，需要有设计裕量
- 虽然GaN材料特性远好过硅，且有高电子迁移率的二维电子气，受制于横向器件，其优点未能完全发挥
- 特征参数（Ron x Qg）氮化镓器件远好过硅及碳化硅器件
