不同的封装会有不同的结-壳热阻。但封装形式的影响远远小于芯片自身的尺寸对结-壳热阻的影响。我们使用英飞凌的数据做了一个全面的比较，可见对于硅器件而言，无论是直插封装（例如TO220）还是表面贴封装(DFN)，差不多的Rdson带来很接近的结-壳热阻。然而同样类似的Rdson，氮化镓的结-壳热阻却要大很多。这本质上是因为和超结MOS比，相同Rdson，氮化镓的芯片面积要小很多。小面积带来结-壳电阻的增加。
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