过去30年，超结MOS芯片面积不断减小，然而氮化镓却是一个质的飞跃
芯片面积小意味着更低的成本，但同时也会带来大一些的热阻（标称电流小）
尽管氮化镓是一个横向器件，其芯片面积与超结MOS相比，仍然具有巨大的面积优势：
参考文献：陈桥梁，功率MOSFET：从原理、特性到应用分析
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