氮化镓器件和硅超结MOS管损耗分析（硬开关）
2023年04月13日
相同的击穿电压，通态电阻及工作频率下，根据以下损耗公式：
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损耗分类 |
符号 |
超结MOS |
氮化镓 |
备注 |
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导通损耗 |
Pcond |
相同 |
相同 |
相同的通态电阻Rdson |
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开关损耗 |
Psw |
更高 |
更低 |
氮化镓有更小的QGS2和QGD |
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输出电容Coss损耗 |
Pcoss |
更高 |
更低 |
氮化镓的Coss更小 |
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门级驱动损耗 |
Pgate |
更高 |
更低 |
氮化镓有更小的门级驱动电压 |
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反向导通损耗 |
Psd |
更低 |
更高 |
氮化镓的Vsd更高 |
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反向恢复损耗 |
Prr |
更高 |
没有 |
氮化镓没有反向恢复电荷Qrr |
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硬开关总损耗 |
Phard_sw |
更高 |
更低 |
氮化镓硬开关总损耗比超结MOS更低 |
