GaN单片集成前级驱动

• 氮化镓前级驱动（Pre-driver占用不到5%的面积）与一个门极宽度为120mm的E-mode氮化镓器件实现单片集成。
• 好处：

1. 减少驱动回路的寄生参数
2. 减少振铃(Ringing)
3. 实现很短的上升(8.5ns)和下降沿(2.5ns)时间
4. 有利于提高开关频率

需要更多更详细的应用来分析判断单片集成或者共封集成的优劣

Source: Kevin J. Chen, Oliver Häberlen, Alex Lidow, Chun lin Tsai, Tetsuzo Ueda, Yasuhiro Uemoto and Yifeng Wu, GaN-on-Si Power Technology:, Devices and Applications IEEE

TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 64, NO. 3, MARCH 2017