什么是SiC SBD碳化硅肖特基二极管？

碳化硅（SiC）是由 C 元素和 Si 元素所形成的化合物。SiC 六方结构中的 4H 型 SiC（4H-SiC）具备高临界击穿电场以及高热传导系数的优点，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优质半导体材料，也是当下综合性能最佳、商品化程度最高、技术最为成熟的宽禁带第三代半导体材料。

肖特基二极管（SBD）是一种采用半导体和金属（比如：钼）结合，而不是采用pn结的器件。由于其正向电压小，反向恢复时间短，所以适合于高速开关应用。

碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）是一种由碳化硅（SiC）材料衬底制成的肖特基二极管，属于一种单极型功率器件。‌SiC SBD具有高耐压、‌快速开关特性、‌低正向压降和高温稳定性等优点，‌因此在高压、‌高频、‌高温等恶劣环境下有着广泛的应用。

芯干线科技是一家由功率半导体资深海归博士、电源行业市场精英和一群有创业梦想的年轻专业人士所创建宽禁带功率器件原厂。2022年被评为规模以上企业，2023年国家级科技型中小企业、国家级高新技术企业，通过了ISO9001生产质量管理体系认证。在2024年通过了IATF16949汽车级零部件生产质量管理体系认证。

公司自成立以来，深耕于功率半导体Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模块的研发和销售。产品被广泛应用于消费、光伏、储能、汽车、Ai服务器、工业自动化等能源电力转换与应用领域。