首页
产品中心
GaN HEMT
GaN 模块
SiC SBD
SiC MOS
SiC 模块
应用方案
5G 通信电源
电动自行车
充电桩
户用/工商储能
PD快充
工业/植物照明
光伏逆变/微逆变
服务器电源
电动汽车
生产制造
新闻中心
公司新闻
行业资讯
技术文章
关于芯干线
公司简介
企业文化
发展历程
办公地址
核心团队
荣誉资质
未来方向
联系我们
联系方式
人才招聘
简体中文
English
X
首页
产品中心
GaN HEMT
GaN 模块
SiC SBD
SiC MOS
SiC 模块
应用方案
5G 通信电源
电动自行车
充电桩
户用/工商储能
PD快充
工业/植物照明
光伏逆变/微逆变
服务器电源
电动汽车
生产制造
新闻中心
公司新闻
行业资讯
技术文章
关于芯干线
公司简介
企业文化
发展历程
业务布局
核心团队
荣誉资质
未来方向
联系我们
联系方式
人才招聘
产品中心
PRODUCT CENTER
点击展开
GaN HEMT
GaN 模块
SiC SBD
SiC MOS
SiC 模块
Package
DFN 5x6
DFN 8x8
P/N
N
Gate level
Dual
Single
V (BR) DSS (V)
650V
ＶGS (th) Max (V)
-10/+7
-15/+7
-15/7
ID Max (A) Tc=25℃
12
15
8
Vth_typ (V)
1.0
1.1
RDS (on) (Ω)
100m
150m
80m
Out Capacitance (pF)
33
40
Ｑg (nC)
2.0
3.4
3.7
