芯片设计：芯片设计作为芯片制造的第一步起着举足轻重的作用，决定了器件的结构和性能。

功率器件专注于解决大电压、大电流应用环境下的电能转换及电路控制问题。针对不同应用环境功率器件有着多种解决方案：以SiC MOSFET和GaN HEMT为例，SiC MOSFET 在中高压（如1200V、1700V等）及中大功率（2000W-1MW）领域的表现尤为亮眼，而GaN HEMT更适合应用在中小功率领域，可以通过提高频率进而提升功率密度。同时对于功率器件而言高功率、低损耗和低成本一直是核心研发目标。工程师需要根据应用需求，提出合理的设计方案，从器件原理出发，对器件结构进行优化，从而有效提高器件性能，降低能量损耗，减少器件成本。

芯干线科技针对功率器件的应用场景和性能需求，提供匹配的设计方案和解决方法。

晶圆制造：晶圆制造作为芯片制造中的核心步骤，决定了芯片是否能从概念转化成实物。

功率器件制造过程大致包括材料生长-外延制备-晶圆加工-CP测试。由于功率器件需要特殊的工艺制程，往往面临较多的挑战，比如GaN和SiC的外延制备和沟槽结构刻蚀等亟待提升的工艺制程。晶圆加工过程中的工艺水平对器件性能有着直接影响，为此功率器件在制造过程中需要匹配现有的工艺进行加工制造，严格把控工艺流程，通过设计与工艺的完美配合，完成芯片的制造。

芯干线科技联合优质半导体行业代工厂制订流片方案，缩短研发周期。

封装测试：封装测试作为芯片制造的收尾工作，决定了芯片出货时的质量水平。

封装是为了让芯片避免受到外界环境影响，提供芯片一个良好且稳定的工作环境。因此杰出的封装可以做到在最大程度上保持器件原有的性能。同时封装在减少封装后器件寄生参数（电感、电容等）和解决器件散热问题等都起着不可忽视的作用。最终测试通过对芯片参数的收集，验收芯片是否符合设计者和客户的期待。

芯干线科技与国内先进封测厂合作，保障产品出货率和可靠性。