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芯干线最新电源方案推出，功放客户纷至~~
芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器，深受功放市场青睐，认可度极高。 这款电源的 PCBA 采用裸板（Open F...
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快，光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展，功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列，产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
氮化镓和超结MOS管Rdson随温度变化比较
氮化镓和超结硅的Rdson高低温比值相当： GaN HEMT而言: Rdson 高低温比值: Rdson(T=150C)/ Rdson(T=25C) =16...
氮化镓功率器件安全工作区计算和测试
氮化镓和硅功率器件有类似的安全工作区定义 热不稳定区域是热失效发生的区域，通常曲线的曲率越陡，在高电压时...
氮化镓最大功率计算
确定了结-壳热阻后，可以用以下公式来结算氮化镓功率器件的最大功率。 同时依据改公式可以画出功率vs.壳温曲...
氮化镓功率器件和LDMOS结构比较
增强型（E-mode）和耗尽型（D-mode）氮化镓功率器件结构和硅LDMOS的结构非常相似，都是横向器件。他们都需要使用场板...
氮化镓功率器件电流崩塌效应
氮化镓功率器件特有的动态电阻现象源于电流崩塌效应。电流崩塌是当漏极和门极/源极之间承受了大电压应力后，...
氮化镓功率器件封装级终测简介
终测可以剔除在CP过程中未被发现的失效器件，以及在封装过程中坏掉的器件。终测是在给客户出货前最后一次测试...