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芯技术 | 基于芯干线X2M120075T4B的三相5KW热泵风机电源方案
无论是大型商业建筑的中央空调系统还是热泵型的家用空调，热泵风机都起着关键作用。它可以快速调节室内温度，为...
GaN HEMT：POE 交换机的革新力量
在数据流量呈指数级增长以及 5G 技术深度普及的当下，POE（以太网供电）交换机作为融合了数据传输与电力供应功能...
芯干线最新电源方案推出，功放客户纷至~~
芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器，深受功放市场青睐，认可度极高。 这款电源的 PCBA 采用裸板（Open F...
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快，光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展，功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化...
碳化硅在光伏中的应用
氮化镓与超结硅不同封装的结-壳热阻（ RthJC ）比较
不同的封装会有不同的结-壳热阻。但封装形式的影响远远小于芯片自身的尺寸对结-壳热阻的影响。我们使用英飞...
为何GaN HEMT没有雪崩击穿？
GaN有很高的击穿场强（硅的10倍） 就硅器件而言，高电场导致硅PN结出现雪崩击穿 GaN HEMT 更像瓷片电容击穿，因为...
寄生电容: GaN和硅超结MOS对比
氮化镓 HEMT: Coss随VDS电压的变化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=200pF/41pF=4.89 硅超结MOS: Coss ...
氮化镓和超级结MOS管比较：dv/dt
氮化镓比超结MOS管的dv/dt高很多。在驱动设计的时候需要特别注意。这里有早些时候TO220封装的级联型氮化镓...
氮化镓功率器件晶圆级测试举例
测试未通过的芯片被标记，不被封装 在这个例子里，我们有: ü所有芯片(die): 229 ü坏的芯片: 32 &...