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芯干线最新电源方案推出，功放客户纷至~~
芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器，深受功放市场青睐，认可度极高。 这款电源的 PCBA 采用裸板（Open F...
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快，光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展，功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列，产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
为何GaN HEMT没有雪崩击穿？
GaN有很高的击穿场强（硅的10倍） 就硅器件而言，高电场导致硅PN结出现雪崩击穿 GaN HEMT 更像瓷片电容击穿，因为...
寄生电容: GaN和硅超结MOS对比
氮化镓 HEMT: Coss随VDS电压的变化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=200pF/41pF=4.89 硅超结MOS: Coss ...
氮化镓和超级结MOS管比较：dv/dt
氮化镓比超结MOS管的dv/dt高很多。在驱动设计的时候需要特别注意。这里有早些时候TO220封装的级联型氮化镓...
氮化镓功率器件晶圆级测试举例
测试未通过的芯片被标记，不被封装 在这个例子里，我们有: ü所有芯片(die): 229 ü坏的芯片: 32 &...
氮化镓功率器件晶圆级测试简介
晶圆级测试（CP）可以通过一些列的测试项目分别出好的和坏的芯片。这些测试项目包括室温和高温两种测试条件。针...
氮化镓功率器件主要应用方向