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芯干线最新电源方案推出，功放客户纷至~~
芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器，深受功放市场青睐，认可度极高。 这款电源的 PCBA 采用裸板（Open F...
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快，光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展，功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列，产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
GaN LLC LTSPICE 仿真
数字隔离技术比较
氮化镓功率器件损耗分类
GaN单片集成前级驱动
氮化镓前级驱动（Pre-driver占用不到5%的面积）与一个门极宽度为120mm的E-mode氮化镓器件实现单片集成。 好处： ...
GaN单片集成逻辑门电路
2018年，EPFL的研究人员使用氮化镓D-mode + E-mode单片集成来实现简单的逻辑门电路 商业上氮化镓数字电路的...
SiC对比Si材料优势 II
碳化硅是一种宽禁带半导体，具备高热导率，高击穿场强和高电子报和漂移速率。其中宽禁带和高热导率的特性决定了...