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芯干线最新电源方案推出，功放客户纷至~~
芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器，深受功放市场青睐，认可度极高。 这款电源的 PCBA 采用裸板（Open F...
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快，光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展，功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列，产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
动态电阻测试方法举例
有多种方式测量动态电阻，这些方法都需要一个快速和准确的钳位电路 这里所举的例子，我们测量齐纳二极管DZ的电...
氮化镓漏源极漏电流随温度的变化
氮化镓功率器件的漏源极漏电流随着温度的增加而增加。这里是650V的器件，在750V的时候的漏电流曲线
氮化镓功率器件的仿真物理模型
一般而言有三类器件模型：物理级，准物理级以及行为级模型 物理级模型是基于氮化镓器件结构及参数，它的优点是准...
650V氮化镓功率器件技术路线图解
电流崩塌效应: 仿真分析
氮化镓外延片工艺流程
氮化镓外延片的衬底材料可以是硅、碳化硅或者是蓝宝石。外延层通常采用MOCVD的方式实现低成本、高产出率