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芯干线最新电源方案推出，功放客户纷至~~
芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器，深受功放市场青睐，认可度极高。 这款电源的 PCBA 采用裸板（Open F...
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快，光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展，功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列，产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
简化的氮化镓功率器件封装步骤
有了氮化镓芯片的晶圆工艺，我们现在来简单讲一下氮化镓封装。氮化镓功率器件的封装和硅功率器件很类似。在封...
氮化镓功率器件的一些基本特性
没有雪崩击穿，更加类似于介质击穿 没有p-型氮化镓管，氮化镓单片模拟/数字IC的设计与硅不同 最大门级电压被...
氮化镓通态电阻Rdson随温度的变化
让我们再来看一下氮化镓的通态电阻随温度的变化。左图是芯干线的氮化镓功率器件随温度的变化，从25度室温到15...
寄生电容: GaN和硅超结MOS对比
如果我们比较寄生电容，氮化镓的Coss随漏源极电压变化很小，Vds从0V上升到500V，Coss仅变化了5倍。而硅超级MOS管，C...
功率器件芯片面积的演进
这里我们来看一下硅MOS管的迭代。从普通的VDMOS到超结MOS管，超结MOS管自身也在不断迭代，新一代超结MOS管的芯...
氮化镓单片集成IC介绍