碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模块）—>测试的多道工序和步骤。碳化硅不同于硅在于，它的材料成本占了最终成本比例很大（可能超过60%）。从物理层面来看， 目前在功率行业用的比较多的碳化硅材料是4H-SiC。碳化硅器件的空穴迁移率比电子低很多，这也是碳化硅PMOS或者IGBT器件很难实现的原因之一
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