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SiC对比Si材料优势 I
时间：2023-04-12 作者： 分类：技术文章 浏览：1068次
  • 3倍禁带宽度：低漏电、高工作温度
  • 10倍击穿场强：高击穿电压、低损耗、高开关速度
  • 3倍热导率：高功率密度、低散热要求

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