简体中文 English
X
当前位置： 首页 /新闻中心/技术文章
SiC对比Si材料优势 I
时间：2023-04-12 作者： 分类：技术文章 浏览：915次
  • 3倍禁带宽度：低漏电、高工作温度
  • 10倍击穿场强：高击穿电压、低损耗、高开关速度
  • 3倍热导率：高功率密度、低散热要求

上一篇：
碳化硅光伏应用的优势
下一篇：
碳化硅用于储能系统
联系我们

电话：+86-025-51180705

邮箱：xinkansen@x-ipm.com

微信公众号：芯干线科技

在线咨询 在线留言